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半导体二极管失效分析

发布日期:2025-08-10 01:33    点击次数:173

🔌半导体二极管失效分析指南🔌(专业检测工程师带您破解芯片失效谜题)

第一步:明确失效现象

🔍 典型表现:

完全无法导通(开路)反向漏电流过大(发热/烧毁)击穿电压骤降(反向导通)噪声异常(高频啸叫)📢(先确认故障场景:整流?开关?保护?)

第二步:外观与物理检测

🔧 基础排查:

肉眼观察:

检查引脚是否断裂、氧化或虚焊🔍外壳是否有裂纹、烧焦痕迹(过流痕迹)🔥

X射线检测:

观察内部封装缺陷(如气泡、金丝熔断)📸

第三步:电气性能测试

⚡ 关键指标:

正向特性:

测量正向压降(VF),硅管正常0.6-0.7V,异常升高提示PN结退化📈

反向特性:

测试反向漏电流(IR),超标可能因表面污染或结缺陷⚠️检测击穿电压(VBR),低于标称值80%需警惕🔒

动态测试:

开关速度测试(trr),延迟过大影响高频应用🔄

第四步:失效机理分析

🔬 深度检测:

SEM断口分析:

观察击穿点形貌(熔融态为过流,脆性断裂为电迁移)🔍

EDS元素分析:

检测污染元素(如Cl⁻引发腐蚀)🧪

热分布测试:

红外热像仪定位局部过热点(如散热不良导致热击穿)🌡️

第五步:环境与应力溯源

🌍 影响因素:

电应力(EOS):

瞬态过压击穿PN结(如雷击感应)⚡

静电损伤(ESD):

人体模式(HBM)>2000V未防护导致隐性损坏💥

热机械应力:

焊接温差导致引脚断裂(如无铅焊料脆性大)🔧

第六步:失效模式总结

📌 典型原因与对策:

#失效分析#



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